此類材料中的無機物包括SiO2、分子篩、粘土和陶瓷等。采用原位聚合法將納米SiO2添到ODA、PMDA的反應體系中，合成出PI/SiO2復合材料。然后用HF 刻蝕SiO2納米粒子，引入納米微孔，形成含有微孔的PI 薄膜。研究發現，當造孔劑含量為15%時，薄膜的介電常數從純PI 的3.54 降低至3.05。

目前將介孔氧化硅或POSS的孔洞結構引入聚酰亞胺體系制備低介電復合材料已成為新的研究熱點。利用原位分散聚合法制備了含有7% SBA-16 和3% SBA-15 的介孔SiO2分子篩的PI 復合材料，其介電常數分別為2.61 和2.73，其力學性能和熱穩定性也得到不同程度的提高。研究了3-氨丙基-三甲氧基硅烷(ATS)改性的SBA-15 對PI 薄膜性能的影響。研究表明，ATS改性的SBA-15 既能提高PI 薄膜的拉伸強度、斷裂伸長率和熱穩定性，又能明顯降低PI薄膜的介電常數。與純PI 相比，含3%SBA-15 的PI 薄膜CTE降低了25%，含10%SBA-15 的PI 薄膜的介電常數可降至2.6。M H Tsai 等[20]利用溶膠-凝膠法將POSS的孔洞結構引入到PI 中制得PI/SiO2復合材料，其介電常數和CTE均很低。

利用插層法制備了PI/粘土納米薄膜，在130 ℃下其介電常數小于2.75，介質損耗因數為0.005。李廣等[22]利用原位聚合法制備了AlN 摻雜的PI 薄膜，AlN 的摻雜提高了薄膜的介電性能。

目前，PI-無機物（納米）雜化涂層膠還處于研究階段，尚未商品化。其存在的問題是無機粒子的含量不高，且粒子易沉積團聚，兩相界面的相容性不好等。研究有機-無機相的相容性，將無機納米粒子均勻的分散到高粘度的PI 基體中，是目前開發納米雜化PI 材料需要解決的首要問題。